BSB015N04NX3 G参数：MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON
类别：分立半导体产品-FET - 单产品变化通告： ProductDiscontinuation12/May/2009标准包装：5,000系列：OptiMOS™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：40V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：180A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.5毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：142nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：12000pF@20V功率-最大值：89W安装类型：表面贴装封装：3-WDSON供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAKM?
